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          RAM可以永不丟失數據!未來PC內存將革命

          計算機技術發展至今,核心硬件的發展似乎卻低于我們的預期。大概在5年前,我們感覺RAM內存和閃存存儲已經不太夠用了。正如處理器已經從高主頻轉向多核心,電腦的內存介質也需要一次重大的革新。我們已經看到了閃存介質的存儲空間越來越大,比如2TB的SD卡、更大容量的SSD固態硬盤等,但在技術沒有革新的情況下,瓶頸是在所難免的。

          RAM可以永不丟失數據!未來PC內存將革命

          新一代的內存技術,不僅能夠讓閃存實現數百GB甚至幾TB的容量,還能夠改變DRAM無法長時間存儲信息的弊端,讓內存也可以存儲文件,實現更先進的系統形態。

          目前,已經擁有十幾種正在開發的新型存儲技術,將在未來改變計算機的硬件結構,下面來簡單了解一下。

          操作系統的影響

          首先,更先進的數據存儲方案也會在操作系統層面提升數據管理的效率。微軟的文件系統專家Spencer Shepler表示,如果能夠讓RAM在系統索引方面發揮更大作用,直接鏈接到文件并一直存儲在RAM中,那么電腦的數據訪問速度將獲得極大的提升。

          當然,如果RAM中的數據不會消失,還會引發一系列的問題。比如,當系統重新啟動時如何檢查系統完整性?那么,如何像使用硬盤那樣把內存中的數據導出?如果不幸電腦感染病毒,那么內存中的數據不會消失,如何維護計算機的安全性?

          這些都是操作系統和應用程序設計者該考慮的問題。Spencer Shepler表示,這需要涉及到信息系統的重建,系統廠商需要開發出更先進的新技術來實現數據管理。

          新一代內存的競爭者

          傳統DRAM內存使用的是電容材質進行數據的存儲,必須隔一段時間刷新一次,所以無法實現數控的永久存儲;而記憶電阻材質,則有可能成為其替代品。比如惠普正在研發的 “憶阻器內存”,可以使用離子氧化鉭擴展或收縮電壓,當電源關閉時,存儲元件可以保持形態,數據不會丟失。目前,諸如松下、海力士、Rambus等多個廠商,都在使用不同的記憶電阻材質,來開發新型的RAM。目前記憶電阻內存的主要瓶頸在于速度,不過惠普表示隨著技術的發展,記憶電阻的速度最終會達到目前DRAM的速度。

          記憶電阻內存

          其他廠商也在類似的產品,如IBM,正在研究相變類存儲介質,利用硫族化合物在晶態和非晶態巨大的導電性差異來存儲數據的,在加熱和冷卻時不會丟失數據;納米RAM也是一種類似的原理,使用網狀碳納米管材質來替代傳統電容內存。

          IBM相變存儲芯片

          RAM可以永不丟失數據!未來PC內存將革命

          不過,由于技術成本的關系,目前惠普主推的憶阻器內存最有可能實現商用,但初期的價格仍會比較昂貴。顯然,傳統閃存和DRAM仍然會服役很長一段時間,但是在操作系統、存儲介質不斷發展的情況下,未來的電腦文件存儲和應用都將發生巨大的改變。

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